广州山特UPS电源IGBT基本结构原理-诚建UPS电源维修

www.greenchengjian.com. 广州诚建科技UPS电源批发中心020-22074194.，广东APCUPS电源、广州山特UPS电源、威图0UPS电源、威图空调，RITTAL空调，威图机柜，RITTAL机柜，德国OBO防雷器（广州核心代理）、DEHN防雷器，UPS电源维修中心， www.gdcjny.com 广东诚建能源蓄电池批发020-22074194.，蓄电池回收处理中心，德瑞图蓄电池，华南松下蓄电池，华南汤浅蓄电池，德国阳光蓄电池销售批发中心。 广州山特UPS电源IGBT的基本结构、器件符号、等效电路及低压区输出特性示意图。在结构上与MOSFET山特UPS电源厂家做了充分比较，IGBT在MOSFET的漏极下又增加了一个P 区，并多一个PN结J1。由等效电路可知它是由MOSFET和双极型功率晶体管复合而成的。因此，它具有如下特点： ①广东山特UPS电源IGBT的输入级是MOSFET，在G和E之间加上驱动电压，MOSFET便进入导通状态。因此，IGBT是一种电压控制器件。 ②在IGBT中，由于MOSFET的开关速度很快，所以IGBT的开关速度取决于等效晶体管的开关速度。在IGBT中，通过对N 区厚度的化来抑制过量载流子的注入，并通过引入寿命抑制机构减少存储载流子的消散时间，由此缩短等效晶体管的开关时间，从而可以提高IGBT的开关速度，使其比双极型晶体管快得多而减少深圳山特UPS电源维修的几率。 ③深圳山特UPS电源当在IBGT的集电极—发射极之间加上负电压时，由于P N结J1处于反向偏置状态，所以在集电极—发射极之间不可能有电流流过。又由于IGBT比MOSFET多了一个J1结，所以IGBT比MOSFET具有更高的耐压。 由于IGBT的P 区的存在，当IGBT处于导通状态时，正载流子会从P 区注入并积聚在N区中，从而使IGBT在导通时呈现低阻状态，所以IGBT的电流容量也要比MOSFET大。 ④美国山特UPS电源IGBT处于导通状态时，UCE的大小能反映过流情况。因此，可以通过测量UCE来识别过流情况，一旦UCE高于某一数值，则表明出现过流情况，此时可通过控制栅极电压快速变为零或负电压来使IGBT快速关断，从而实现对IGBT的过流保护。 通过以上分析可以看出，IGBT具有正、反向阻断电压高，通态电流大，可以通过电压来控制其导通或关断等特点避免了深圳山特UPS电源维修率高。同时，由于采用了MOS栅，所以其控制电路的功耗小，导通和关断时的静态功率损耗也很小，只有在状态转换过程中存在一定的动态损耗。对于这种动态损耗，可以通过ZVS或ZCS软开关技术使其减小到Zui小。由于IGBT具有这些特点，才使其被山特UPS电源厂家广泛地当做SPWM功率开关器件在UPS变换电路中应用。 详情请来电咨询：020-22074194、85293531、、 （松下蓄电池、汤浅蓄电池、德瑞图蓄电池，阳光蓄电池、诚建能源蓄电池、美国GNB蓄电池）销售中心 APCUPS电源、山特UPS电源、德国UPS电源、APCUPS电源厂家